Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Голосование | Топ-лист | Дискуссия Rambler's Top100

TopList Яндекс цитирования

НОВОСТИ
"РУССКОГО ПЕРЕПЛЕТА"

ЛИТЕРАТУРА

Новости русской культуры

Афиша

К читателю

Содержание

Публицистика

"Курск"

Кавказ

Балканы

Проза

Поэзия

Драматургия

Искания и размышления

Критика

Сомнения и споры

Новые книги

У нас в гостях

Издательство

Книжная лавка

Журнальный зал

ОБОЗРЕНИЯ

"Классики и современники"

"Слово о..."

"Тайная история творений"

"Книга писем"

"Кошачий ящик"

"Золотые прииски"

"Сердитые стрелы"

КУЛЬТУРА

Афиша

Новые передвжиники

Фотогалерея

Музыка

"Неизвестные" музеи

Риторика

Русские храмы и монастыри

Видеоархив

ФИЛОСОФИЯ

Современная русская мысль

Искания и размышления

ИСТОРИЯ

История России

История в МГУ

Слово о полку Игореве

Хронология и парахронология

Астрономия и Хронология

Альмагест

Запечатленная Россия

Сталиниана

ФОРУМЫ

Дискуссионный клуб

Научный форум

Форум "Русская идея"

Форум "Курск"

Исторический форум

Детский форум

КЛУБЫ

Пятничные вечера

Клуб любителей творчества Достоевского

Клуб любителей творчества Гайто Газданова

Энциклопедия Андрея Платонова

Мастерская перевода

КОНКУРСЫ

За вклад в русскую культуру публикациями в Интернете

Литературный конкурс

Читательский конкурс

Илья-Премия

ДЕТЯМ

Электронные пампасы

Фантастика

Форум

АРХИВ

Текущий

2003

2002

2001

2000

1999

Фотоархив

Все фотоматериалы


Новости
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

16.07.2020
22:31

Астрономы нашли самый далекий оптический след гамма-всплеска

16.07.2020
22:29

Станция Solar Orbiter прислала первые снимки Солнца

16.07.2020
16:14

"Жалко" - новое в литературном обозрении Соломона Воложина

16.07.2020
15:08

В «Роскосмосе» раскрыли подробности создания «лифта» на Луну

16.07.2020
15:06

Человечество «сдвинет» Землю на три миллиона лет в прошлое

15.07.2020
15:52

Алгоритм предскажет стабильность орбит планет

15.07.2020
15:52

"Вдруг что-то получится..." - новое в литературном обозрении Соломона Воложина

15.07.2020
15:41

Гамма-всплеск сверхвысокой энергии ограничил нарушение лоренц-инвариантности

15.07.2020
15:36

Капсуле с осколками Рюгу разрешили приземлиться в Австралии

15.07.2020
14:56

Добровольцы помогли найти два уникальных коричневых карлика

15.07.2020
14:48

Внезапная революция в мире полупроводников: 2-нанометровая топология почти готова

    TSMC опередила Samsung в разработке транзисторов GAAFET с круговым затвором и горизонтальным расположением каналов. Эта технология позволит ей сделать рывок и к 2023-2024 гг. перейти с текущих 5 нм на передовой 2-нанометровый техпроцесс производства.

    Вперед, в будущее

    Компания TSMC разработала полностью функциональную схему производства транзисторов с использованием технологии GAAFET. Как пишет портал Gizmochina, это настоящий прорыв в сфере полупроводников, и он позволит TSMC первой в мире наладить производство чипов по новейшему 2-нанометровому техпроцессу.

    По предварительным прогнозам, TSMC начнет опытное производство по 2-нанометровым нормам в промежутке между 2023 и 2024 гг. Этому будет предшествовать переход компании на 3 нанометра – тестовое производство по данной технологии должно начаться в первой половине 2021 г., а массовый выпуск микросхем – во второй половине 2022 г.

    До появления первых 2-нанометровых чипов осталось около двух-трех лет Параллельно с этим TSMC ведет разработку и 4-нанометровой топологии. О ней, как сообщал CNews, она впервые рассказала в июне 2020 г, и запустить ее она планирует в 2023 г.

    Особенности GAAFET

    Под аббревиатурой GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) скрывается полевой транзистор с горизонтальным расположением каналов и круговым затвором. Данная технология придет на смену применяемой в настоящее время той же TSMC технологии FinFET, которая подразумевает использование полевого транзистора «плавникового» типа) с вертикально расположенными каналами.

    Одна из особенностей GAAFET заключается в том, что затвор в таких транзисторах опоясывает канал именно со всех сторон, тогда как в FinFET он окружает его с трех сторон из четырех. Последнее приводит к росту токов утечки, что исключено в GAAFET.

    В апреле 2020 г. TSMC заявила, что не станет отказываться от FinFET при переходе на 3 нанометра. Это позволило бы с меньшими затратами совершить переход с текущих 7 и 5 нм. Позже компания решила не придерживаться этого плана, так как именно FinFET могла стать «бутылочным горлом» в развитии современных чипов.

    Актуальное положение дел

    TSMC – это один из крупнейших производителей полупроводниковой продукции. В число ее клиентов входят китайские Huawei и MediaTek и американская AMD, у которых нет собственных фабрик. В списке партнеров TSMC значатся также Apple и Qualcomm. По итогам 2019 г. TSMC выручила рекордные для нее 1,07 трлн тайваньских долларов (приблизительно $34,63 млрд). Это на 3,7% больше в сравнении с показателями 2018 г.

    TSMC стала первой в мире компанией, освоившей 5-нанометровый техпроцесс производства – конвейерная линия уже запущена, и на ней будет выпускаться, в частности, флагманский чип Qualcomm Snapdragon 875, дебют которого запланирован на декабрь 2020 г. Также, по предварительной информации, процессор Apple A14 для новых смартфонов iPhone 2020 модельного года тоже окажется 5-нанометровым.

    До проработки схемы производства GAAFET-транзисторов TSMC не раскрывала сроки перехода к 2 нанометрам, хотя работу над этой технологией, как сообщал CNews, начала еще летом 2019 г. тогда же компания впервые подтвердила свои планы по запуску 3-нанометровой линии в 2021 или 2022 гг. В начале 2020 г. сроки были перенесены на 2023 г. из-за пандемии коронавируса, с анонсом перехода на GAAFET компания вернулась к прежнему графику.

    Чем ответит Samsung

    Южнокорейская компания Samsung – это основной конкурент TSMC в сегменте производства микросхем. Как сообщал CNews, в апреле 2019 г. Samsung завершила разработку своей 5-нанометровой топологии и приступила к подготовке к запуску соответствующего производства. Как и TSMC, этой цели она достигла летом 2020 г.

    Сразу после освоения 5 нм Samsung заинтересовалась 3 нанометрами, заявив о планах по переходу на эту технологию в 2021 г. Однако в апреле 2020 г. она была вынуждена перенести начало работы соответствующего конвейера на 2022 г. в связи с пандемией,

    Samsung тоже планирует использовать технологию GAAFET, и прототип таких транзисторов был в ее распоряжении еще весной 2020 г. На момент публикации материала она не делала никаких заявлений о новых сроках освоения 3 нм.

    Для сравнения, компания Intel на протяжении всей первой половины 2020 г. пыталась полностью перейти на 10-нанометровую топологию, которую она освоила в августе 2019 г. Что до AMD, то ее современные процессоры выпускаются по 7-нанометровым нормам, но, в отличие от Intel, собственных фабрик у нее нет, и производство она делегирует все той же TSMC, что увеличивает вероятность скорого появления 5-нанометровых Ryzen, Epyc и Threadripper.

    По информации https://www.cnews.ru/news/top/2020-07-14_tsmc_ustroit_revolyutsiyu_v_mire?fbclid=IwAR1p9rtskXdtSFjFK0UiGM4Tzhngk623c4fpG9YSDKLSOEnELlDemAUI3Ec

    Обозрение "Terra & Comp".

Выскажите свое мнение на:

14.07.2020
18:49

В Тихом океане есть «пустыня» с самой чистой морской водой в мире

14.07.2020
18:38

Учёные объяснили особенности зарождения некоторых крупных планет

14.07.2020
18:28

Ученые выяснили, почему звезды с пятнами вращаются быстрее других

14.07.2020
18:25

Астрономы впервые увидели спиральные потоки вещества вокруг звезды

14.07.2020
18:21

Солнечный зонд Parker рассмотрел два хвоста у недавно открытой кометы NEOWISE

14.07.2020
18:17

Прорыв в понимании процессов формирования сверхмассивных черных дыр

14.07.2020
17:15

Астрономы обнаружили на небе гигантскую Стену Южного полюса

14.07.2020
14:36

"Кухня дела" - новое в литературном обозрении Соломона Воложина

13.07.2020
18:50

Видео: Как встречали МАСТЕР на Канарских островах!

<< 41|42|43|44|45|46|47|48|49|50 >>

НАУКА

Новости

Научный форум

Почему молчит Вселенная?

Парниковая катастрофа

Хронология и парахронология

История и астрономия

Альмагест

Наука и культура

2000-2002
Научно-популярный журнал Урания в русском переплете
(1999-200)

Космические новости

Энциклопедия космонавтика

Энциклопедия "Естествознание"

Журнальный зал

Физматлит

News of Russian Science and Technology

Научные семинары

НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах"

"TERRA & Comp"

"Неизбежность странного микромира"

"Биология и жизнь"

ОБРАЗОВАНИЕ

Открытое письмо министру образования

Антиреформа

Соросовский образовательный журнал

Биология

Науки о Земле

Математика и Механика

Технология

Физика

Химия

Русская литература

Научная лаборатория школьников

КОНКУРСЫ

Лучшие молодые
ученые России

Для молодых биологов

БИБЛИОТЕКИ

Библиотека Хроноса

Научпоп

РАДИО

Читают и поют авторы РП

ОТДЫХ

Музеи

Игры

Песни русского застолья

Народное

Смешное

О НАС

Редколлегия

Авторам

О журнале

Как читать журнал

Пишут о нас

Тираж

РЕСУРСЫ

Поиск

Проекты

Посещаемость

Журналы

Русские писатели и поэты

Избранное

Библиотеки

Фотоархив

ИНТЕРНЕТ

Топ-лист "Русского переплета"

Баннерная сеть

Наши баннеры

НОВОСТИ

Все

Новости русской культуры

Новости науки

Космические новости

Афиша

The best of Russian Science and Technology

 

 


Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

Редколлегия | О журнале | Авторам | Архив | Ссылки | Статистика | Дискуссия

Галерея "Новые Передвижники"
Пишите

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Русский Переплет
Rambler's Top100 TopList