Новости
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ.
Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.
|
|
10.02.2015
18:49 |
Биологи объяснили любовь кошек к коробкам |
|
10.02.2015
18:45 |
От кокаиновой зависимости научились избавлять глубокой стимуляцией мозга |
|
10.02.2015
18:41 |
Ученые объяснили бессмысленность поиска идеального партнера |
|
10.02.2015
18:31 |
На микробной карте нью-йоркского метро нашли ДНК бактерий чумы и сибирской язвы |
|
10.02.2015
18:26 |
Исчезновение кратеров Плутона помешает исследованию древней материи |
|
10.02.2015
18:20 |
Звездной паре из планетарной туманности предрекли гибель |
|
10.02.2015
18:16 |
Динозавров заподозрили в употреблении галлюциногенных грибов |
|
10.02.2015
18:12 |
Геофизики сообщили о трехслойном ядре Земли |
|
10.02.2015
17:56 |
О пользе мобильных приложений для госучреждений |
|
10.02.2015
16:44 |
""Не виноватая я..."" - новое в литературном обозрении Соломона Воложина |
|
10.02.2015
09:05 |
Глава Роскосмоса сформировал рабочую группу, чтобы актуализировать план развития пилотируемой космонавтики |
|
10.02.2015
09:03 |
Китай завершил наземные испытания новейшей ракеты-носителя "Чанчжэнь-5" |
|
10.02.2015
09:01 |
Китайский космический аппарат завершил тестовые маневры на окололунной орбите |
|
10.02.2015
00:22 |
Найден мальчишка
|
|
09.02.2015
23:51 |
"ПАТРИОТИЧЕСКИЕ РАЗМЫШЛИЗМЫ" - новое в обозрении Валерия Куклина "Литература и мы" |
|
09.02.2015
23:37 |
Я НЕ ЛЮБЛЮ ТАКУЮ УКРАИНУ |
|
09.02.2015
15:10 |
Всеобъемлющий Интернет ставит заслон раку груди |
|
08.02.2015
22:35 |
Созданы силиценовые транзисторы толщиной в один атом Исследователи из Техасского университета в Остине (США) создали первые транзисторы на основе силицена. Теоретически это открывает путь к созданию компьютерных чипов, которые будут значительно быстрее, компактнее и энергоэффективнее современных решений.
Силицен — это двумерное соединение кремния, подобное графену. Несмотря на потенциальную совместимость с существующей полупроводниковой техникой, получение элементов на основе силицена представляет собой крайне трудоёмкий процесс из-за сложности и нестабильности материала при воздействии воздуха.
Для получения силиценовых транзисторов толщиной в один атом американские учёные разработали новую методику. На первом этапе в вакуумной камере было осуществлено осаждение атомов кремния из разогретого пара с формированием на серебряной плёнке силиценового слоя. Далее поверх него исследователи нанесли нанометровый слой оксида алюминия. После этого полученную структуру удалось перенести на кремниевую подложку, расположив серебряной плёнкой вверх. Наконец, на заключительном этапе путём высокоточного скобления серебряной плёнки учёные смогли сформировать транзисторы.
Разумеется, пока говорить о практическом использовании силиценовых транзисторов рано, но исследователи намерены продолжить свои изыскания. Не исключено, что в перспективе результаты работы помогут в создании сверхбыстрых и экономичных компьютерных чипов.
По информации http://www.3dnews.ru/news/909171?ext=subscribe&source=subscribeRu
Обозрение "Terra & Comp".
Выскажите свое мнение на:
|
|
08.02.2015
21:43 |
Получены редчайшие снимки прохождения трех спутников Юпитера по его диску |
|
08.02.2015
21:41 |
Выработку витамина A впервые поручили пересаженным в кишечник микробам |
